先進節(jié)點的邏輯和記憶體裝置要求化學(xué)機械平坦化/研磨 (CMP) 制程具有極高的性能。鑒于非金屬 CMP 制程數(shù)量的快速增加和不斷多樣化，此類節(jié)點對該制程提出了新的要求，如更高的平坦化效率、接近零缺陷率以及制程成本的大大降低。為達到技術(shù)和經(jīng)濟的雙重目標，需要高度可調(diào)節(jié)、可稀釋的CMP 研磨液以及相匹配的 CMP 研磨墊和研磨工藝。在先進的前段制程中將有不同材料層的組合（如氧化物、氮化物和多晶矽），各材料都需要研磨，各層分別要求不同的研磨率、選擇比和嚴格的制程控制。

這些新的多樣化需求需要新的研磨液配方。一組新的介電層 CMP 研磨液將接受檢測，該研磨液使用先進的凝膠狀二氧化矽磨料和先進添加劑來實現(xiàn)高研磨率、高平坦化效率和低缺陷率。這個新近已商品化的研磨液以濃縮液形式提供給客戶，以將總體擁有成本降至最低。使用端稀釋可將磨料濃度降至最低，而不會影響 CMP 性能和工藝穩(wěn)定性。
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