因AI人工智慧驅動半導體需求，全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾（ASML）今（6）日於SEMICON Taiwan 分享新一代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術，并表示將協助晶片制造商簡化制造工序、提高產能，并降低每片晶圓生產的能耗。

ASML High NA EUV 產品管理??總裁 Greet Storms

基於全球半導體產值到2030年可??將達1兆美元，依SEMI預估AI驅動的半導體產業成長，將占5成以上。為了持續使晶片微縮成本更具效益，推動摩爾定律的進展。ASML今日也分享其最新一代 High NA EUV 微影技術。

透過采用最新光學元件，將數值孔徑（numerical aperture）從0.33提升至0.55，以提供更高成像解析度；臨界尺寸（critical dimension, CD）可達到8nm，讓晶片制造商可以在同樣單位面積的晶片上，實現較現今高出2.9倍的電晶體密度；且成像對比度較上一代0.33 NA EUV提高 40%，可大幅降低成像缺陷。

ASML High NA EUV產品管理??總裁Greet Storms也表示，作為半導體生態系的一員，ASML透過持續開發最新微影技術，且與我們的合作夥伴不斷創新，幫助晶片制造商能夠以更具成本效益的方式量產尺寸更小、功能更強、更低功耗的晶片。包含透過導入High NA EUV，客戶將可減少量產邏輯和記憶體晶片的制造工序，進而顯著降低制程缺陷、成本和生產周期。

Greet Storms說：「High NA EUV（0.55 NA）將與現行的EUV（0.33 NA）在設計方面有通用性，可降低客戶的導入風險和研發成本。」目前High NA EUV微影系統已於去年底開始陸續出貨，產能預計每小時可曝光超過185片晶圓，將支援2奈米以下邏輯晶片及具有相似電晶體密度的記憶體晶片量產。

此外，當半導體產業透過生產更快、更強大、同時又節能且價格可負擔的晶片，實現物聯網的世界。卻也帶來相對應的付出，例如能源消耗。ASML則不斷致力透過研發創新降低能源消耗，透過與客戶密切合作，在提高生產力的同時，減少制造每片晶圓所產生的能耗。根據ASML 2023年報，從2018~2023年，ASML EUV曝光每片晶圓的能耗減少了近40%；更希??到了2025年，再減少30~35%能耗。

為了讓晶片制造商用更具成本效益的方式生產尺寸更小、功能更強、更節能的晶片，ASML還提供全方位微影解決方案，包括微影系統和應用產品，同時為先進制程和成熟制程客戶提供具成本效益的解決方案來支援所有應用。

依ASML預估，客戶若在先進制程晶片制造中導入包括EUV和High NA EUV微影系統，將可簡化制程工序、減少光罩數量，提升產能和良率，進而降低生產每片晶圓的用電量。估計到了2029年，使用ASML微影技術生產每一片晶圓使用的100度電，將為整體制程節省200度電。