（美國(guó)加州訊）全球高效能電源半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (快捷半導(dǎo)體) 在其第四代 650V 及 1200V IGBT 元件中降低能量損失達(dá)30％。Fairchild 採(cǎi)用專(zhuān)為工業(yè)及汽車(chē)市場(chǎng)高/中速開(kāi)關(guān)應(yīng)用量身定製的全新設(shè)計(jì)方法，可提供工業(yè)效能以及極強(qiáng)的閂鎖抗雜訊能力，實(shí)現(xiàn)卓越的耐用性與可靠性。Fairchild 在 PCIM Asia 2015 展覽會(huì)上展示了該方法及其在若干應(yīng)用中的測(cè)試結(jié)果。

Fairchild 在 PCIM Asia 展覽會(huì)上展示如何超越矽元件的「理想」限制，

資深 IGS 分析師 Victoria Fodale 表示︰「製造商高度關(guān)注更先進(jìn)的 IGBT，降低 IGBT 的開(kāi)關(guān)損失能夠提高其產(chǎn)品的能效。在各項(xiàng)應(yīng)用中，從電動(dòng)汽車(chē)及太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)，到高效率HVAC應(yīng)用及工業(yè)逆變器，最大限度地降低損失是本質(zhì)上實(shí)現(xiàn)最高能效的關(guān)鍵因素。」

Fairchild 採(cǎi)用全新的自校準(zhǔn)接觸技術(shù)來(lái)實(shí)施先進(jìn)的高密度間距、自平衡單元結(jié)構(gòu)，在攝氏 -40度 至 175度 的溫度範(fàn)圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度以及出色的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性。全新設(shè)計(jì)的第四代 IGBT 具有極低的飽和電壓 (Vce(sat) = ~ 1.65V) 及低開(kāi)關(guān)損失 (Eoff = 5μJ/A) 等權(quán)衡特性，助客戶實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。除了新一代產(chǎn)品，F(xiàn)airchild 還將提供標(biāo)準(zhǔn)化且功能強(qiáng)大的設(shè)計(jì)與模擬基礎(chǔ)架構(gòu)套件，適用於所有高低壓功率元件。

Fairchild Fellow Thomas Neyer 表示︰「Fairchild 採(cǎi)用的全新方法包括，透過(guò)非常精細(xì)的單元間距設(shè)計(jì)來(lái)增強(qiáng)效率，實(shí)現(xiàn)極高的電子射入效率，透過(guò)全新的緩衝結(jié)構(gòu)來(lái)限制電洞載子的射入。這些改進(jìn)實(shí)現(xiàn)了巨大的效能優(yōu)勢(shì)，使 Fairchild 能夠賦予製造商全新的解決方案，藉助我們的 IGBT 高效控制電源產(chǎn)生的巨額成本。」

Fairchild於2015年第4季度提供 Fairchild FS4 IGBT 產(chǎn)品系列的詳細(xì)資料。（編輯部陳復(fù)霞整理）

【展會(huì)資訊】

*展會(huì)名稱(chēng)：PCIM Asia 2015展覽會(huì)（6月25日）

*公司名稱(chēng)：Fairchild

*地 點(diǎn)：上海世博會(huì)展中心

*海報(bào)演示：介紹2篇IGBT相關(guān)論文

1.《具備高效能及先進(jìn)閂鎖抗雜訊能力的第四代場(chǎng)截止IGBT》(The 4th Generation Field Stop IGBT with High Performance and Enhanced Latch up Immunity)（演講者︰ Kevin Lee）

2.《關(guān)於電感式負(fù)載開(kāi)關(guān)之低電流關(guān)斷瞬態(tài)期間場(chǎng)截止IGBT (FS IGBT) VCE斜率的相關(guān)研究》(Investigation on VCE Slope of Field Stop IGBT (FS IGBT) during Low Current Turn-off Transient of Inductive Load Switching)（演講者︰ Rafael Lim）