半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（ST）推出新MasterGaN4，其功率封裝整合了兩個(gè)對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵（GaN）功率電晶體，以及優(yōu)化的閘極驅(qū)動(dòng)器和電路保護(hù)功能，可以簡化高達(dá)200W的高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。

意法半導(dǎo)體推出新款MasterGaN4元件，實(shí)現(xiàn)高達(dá)200瓦的高效能功率轉(zhuǎn)換。

MasterGaN4是意法半導(dǎo)體MasterGaN系列的最新產(chǎn)品，解決了複雜的閘極控制和電路配置挑戰(zhàn)，並進(jìn)一步簡化了寬能隙GaN功率半導(dǎo)體的應(yīng)用設(shè)計(jì)。MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V-15V，可以直接與控制器連線，例如，霍爾效應(yīng)感測器或微控制器、DSP處理器、FPGA可程式設(shè)計(jì)元件等CMOS晶片。

GaN電晶體的優(yōu)勢包括出色的開關(guān)性能、更高的運(yùn)作頻率、更高效能效，而且發(fā)熱更少，設(shè)計(jì)人員可以選用尺寸更小的磁性元件和散熱器，以設(shè)計(jì)出更小、更輕的電源、充電器和轉(zhuǎn)接頭。MasterGaN4非常適用於對稱半橋拓?fù)湟约败涢_關(guān)拓?fù)?，例如，有源鉗位反激式和有源鉗位正激式轉(zhuǎn)換器。

4.75V-9.5V的寬電源電壓便於MasterGaN4與現(xiàn)有電源軌連線。內(nèi)建保護(hù)功能，包括閘極驅(qū)動(dòng)器互鎖、高低邊欠壓鎖定（UVLO）以及過熱保護(hù)，可進(jìn)一步簡化應(yīng)用設(shè)計(jì)。另外還有一個(gè)專用的關(guān)斷腳位。

同時(shí)，意法半導(dǎo)體還推出一個(gè)MasterGaN4原型開發(fā)板（EVALMASTERGAN4）。這塊評(píng)估板提供使用單一或互補(bǔ)訊號(hào)驅(qū)動(dòng)MasterGaN4的全部功能，以及一個(gè)可調(diào)的死區(qū)時(shí)間產(chǎn)生器。使用者可以靈活地施加一個(gè)單獨(dú)輸入訊號(hào)或PWM訊號(hào)，插入一個(gè)外部自舉二極體，隔離邏輯元件和閘極驅(qū)動(dòng)器電源軌，以及使用一個(gè)低邊電流採樣電阻設(shè)計(jì)峰值電流模式拓?fù)洹?/p>

MasterGaN4現(xiàn)已量產(chǎn)，其採用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，超過2mm的爬電距離確保在高壓應(yīng)用中的使用安全。