就特性上來(lái)說(shuō)，F(xiàn)O-WLP/PLP是一種具有比覆晶封裝具有更好電氣特性的封裝觀念技術(shù)，并且在面對(duì)晶片薄化要求時(shí)，也具有較小熱變形的特性。從大約五年前開(kāi)始，逐漸擴(kuò)展應(yīng)用在RF，功率放大器，基頻等等的晶片產(chǎn)品上。更進(jìn)一步的，從今年開(kāi)始，由于出色的電氣特性和布線密度，F(xiàn)O-WLP/PLP更被應(yīng)用在自動(dòng)駕駛必或缺的雷達(dá)半導(dǎo)體上。

與常規(guī)的覆晶封裝相比，雖然FO-WLP/PLP能夠達(dá)到更高性能和更薄的晶片體積，但是因?yàn)閬?lái)自于FO-WLP/PLP的制程良率和材料等等的相關(guān)問(wèn)題，也大程度的影響了FO-WLP/PLP生產(chǎn)成本。

當(dāng)然，在一項(xiàng)新的生產(chǎn)技術(shù)在被導(dǎo)入時(shí)，常常會(huì)面臨著許多的課題需要被解決，包括了生產(chǎn)設(shè)備、材料、制程手法等。當(dāng)然，今天的備受注目的FO-WLP/PLP也是存在著這些無(wú)法避免的挑戰(zhàn)。
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