預(yù)計2020年，市場將出現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用，高速傳輸對行動設(shè)備帶來嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，新世代的行動設(shè)備需要滿足更高的溫度、功率、電壓、效能與抗輻射需求，就目前技術(shù)來看，具備寬能帶、高飽和速度、高導(dǎo)熱性和高擊穿電場強(qiáng)度等特色的化合物半導(dǎo)體碳化矽 (SiC)、氮化?? (GaN) 無疑是市場上高溫、高頻及高功率元件材料的最隹解答，根據(jù)Yole Development的研究指出，2013年至 2022年，SiC功率半導(dǎo)體市場年均復(fù)合將達(dá) 38%，而 2016 年至 2020 年 GaN 射頻元件市場復(fù)合年增長率將達(dá)到4%，因此，如何積極因應(yīng)此一趨勢，善用本身優(yōu)勢布局市場，將是臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這幾年的重要課題。

持續(xù)精進(jìn)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)
...
...