隨著電源要求、法規(guī)管制以及效率標準和EMI要求的日趨嚴格，電源越來越需要采用開關功率元件，因為開關功率元件效率更高且工作范圍更寬。與此同時，設計人員持續(xù)承受著降低成本和節(jié)省空間的壓力，面對這些需求，需要替代經(jīng)典矽（Si）基MOSFET的產(chǎn)品。

碳化矽（SiC）現(xiàn)已成熟并發(fā)展到第三代，已經(jīng)成為一種明智的選擇。采用SiC架構的FET具有許多性能優(yōu)勢，其中最為突出的特點是效率更高、可靠性更好、熱管理問題更少，且占用空間更小。這些產(chǎn)品適用于整個功率范圍，不需要徹底改變設計技術，不過可能需要進行一些調整。
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