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    KLA-Tencor:7奈米以下製程需有效降低顯影成型誤差
    [SmartAuto 王岫晨 報(bào)導(dǎo)]   2017年09月14日 星期四 瀏覽人次: [11008]

    7納米製程節(jié)點(diǎn)將是半導(dǎo)體廠(chǎng)推進(jìn)摩爾定律(Moore’s Law)的下一重要關(guān)卡。半導(dǎo)體進(jìn)入7納米節(jié)點(diǎn)後,製程將面臨更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn), 不僅要克服晶圓刻蝕方面、熱、靜電放電和電磁干擾等物理效應(yīng),同時(shí)要讓信號(hào)通過(guò)狹小的線(xiàn)也需要更大的電力,這讓晶片設(shè)計(jì),檢查和測(cè)試更難。

    KLA-Tencor公司行銷(xiāo)長(zhǎng)暨資深副總 Oreste Donzella
    KLA-Tencor公司行銷(xiāo)長(zhǎng)暨資深副總 Oreste Donzella

    KLA-Tencor針對(duì)7奈米以下的邏輯和尖端記憶體設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)推出了五款顯影成型控制系統(tǒng),以幫助晶片製造商實(shí)現(xiàn)多重曝光技術(shù)和EUV微影所需的嚴(yán)格製程公差。在IC製造廠(chǎng)內(nèi),ATL疊對(duì)量測(cè)系統(tǒng)和SpectraFilm F1薄膜量測(cè)系統(tǒng)可以針對(duì)finFET、DRAM、3D NAND和其他複雜元件結(jié)構(gòu)的製造提供製程表徵分析和偏移監(jiān)控。 Teron 640e光罩檢測(cè)產(chǎn)品系列和LMS IPRO7光罩疊對(duì)位準(zhǔn)量測(cè)系統(tǒng)可以協(xié)助光罩廠(chǎng)開(kāi)發(fā)和鑑定EUV和先進(jìn)的光學(xué)光罩。 5DAnalyzer X1高級(jí)資料分析系統(tǒng)提供開(kāi)放架構(gòu)的基礎(chǔ),以支持晶圓廠(chǎng)量身定制的分析和實(shí)時(shí)製程控制的應(yīng)用。這五款新系統(tǒng)拓展了KLA-Tencor的多元化量測(cè)、檢測(cè)和資料分析的系統(tǒng)組合,從而可以從根源上對(duì)製程變化進(jìn)行識(shí)別和糾正。

    對(duì)於7奈米和5奈米設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn),晶片製造商在生產(chǎn)中找到疊對(duì)誤差,線(xiàn)寬尺寸不均和熱點(diǎn)(hotspot)的根本起因變得越來(lái)越困難。KLA-Tencor公司行銷(xiāo)長(zhǎng)暨資深副總Oreste Donzella表示,除了曝光機(jī)的校正之外,客戶(hù)也在了解不同的光罩和晶圓製程步驟變化是如何影響顯影成型的。透過(guò)提供全製造廠(chǎng)範(fàn)圍的開(kāi)放式量測(cè)和檢測(cè)資料,IC工程師可以對(duì)製程問(wèn)題迅速定位,並且在其發(fā)生的位置直接進(jìn)行管理。我們的系統(tǒng),例如今天推出的五款系統(tǒng),讓客戶(hù)能夠降低由每個(gè)晶圓、光罩和製程步驟所導(dǎo)致的顯影成型誤差。

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