2024年12月9日 – 全球最新電子元件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品的授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與安森美和Wurth Elektronik合作，一同滿足太陽(yáng)能逆變器市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng)的需求。
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| 貿(mào)澤電子、安森美和Wurth Elektronik合作為下一代太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)提供解決方案 |
全球逆變器市場(chǎng)的成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)源，主要來(lái)自微型逆變器和串式逆變器在安裝上的便利性，以及對(duì)再生能源基礎(chǔ)架構(gòu)投資的增加。如此的鉅額投資注入到農(nóng)村電氣化和再生能源領(lǐng)域，預(yù)計(jì)將為市場(chǎng)上現(xiàn)有及新加入的廠商創(chuàng)造利潤(rùn)豐厚的商機(jī)。
安森美的碳化矽 (SiC) 解決方案可滿足最高等級(jí)的效率、可靠性和安全性需求，另外其升壓和逆變器功率整合模組 (PIM) 則是針對(duì)電網(wǎng)介面電子裝置所設(shè)計(jì)。再搭配Wurth Elektronik的閘極驅(qū)動(dòng)器、感測(cè)控制和周邊功率產(chǎn)品，讓整套系統(tǒng)更為完善。
安森美NXH40B120MNQ1是一款EliteSiC功率模組，內(nèi)含的雙通道全SiC升壓級(jí)由三個(gè)40 mohm/1200V SiC MOSFET和三個(gè)40A/1200V SiC二極體組成。模組具備低反向恢復(fù)、高速切換SiC二極體、低電感配置、可焊接腳位及整合式熱敏電阻。該SiC MOSFET模組適用於太陽(yáng)能逆變器和不斷電系統(tǒng)。
安森美FGY140T120SWD 1200V 140A快速獨(dú)立IGBT採(cǎi)用創(chuàng)新的第七代電場(chǎng)截止技術(shù)，在TO247 3導(dǎo)線封裝中內(nèi)置Gen7二極體，可提供最佳效能、低切換與傳導(dǎo)耗損，在太陽(yáng)能、UPS和儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用中高效運(yùn)作。
Wurth Elektronik WE-AGDT高功率輔助閘極驅(qū)動(dòng)變壓器具有單極和雙極輸出，適合為最先進(jìn)的SiC MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器（功率最高6W）以及IGBT和功率MOSFET供電。
同樣來(lái)自Wurth Elektronik的WE-CSTLF電流感測(cè)變壓器專為低頻所設(shè)計(jì)，適合電源線等50 Hz/60 Hz應(yīng)用。WE-CSTLF系列採(cǎi)用層壓芯材料，可有效處理低頻，即使在高挑戰(zhàn)性的作業(yè)條件下也能確保最佳的效能和耐用性。
