格羅方德公司(GLOBALFOUNDRIES)宣佈已證實(shí)運(yùn)用14奈米FinFET製程在矽晶片上實(shí)現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能。 作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分，F(xiàn)X-14具有 56Gbps SerDes，致力於為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應(yīng)對最嚴(yán)苛的長距離高性能應(yīng)用需求而準(zhǔn)備。

成熟的ASIC IP解決方案將大幅提高下一代高速應(yīng)用的性能和能效?

格羅方德56Gbps SerDes內(nèi)核同時(shí)支援PAM4和NRZ訊號傳導(dǎo)，可補(bǔ)償超過 35dB 的插入損耗，因而無須在目前極具挑戰(zhàn)性的系統(tǒng)內(nèi)容中部署昂貴的高功耗中繼器。56Gbps SerDes採用突破性的創(chuàng)新架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)的長距離傳輸性能，甚至超越了OIF CEI-56G-LR和IEEE 802.3cd等新興的50Gbps行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

FX-14 產(chǎn)品可提供多種高速 SerDes (HSS) 解決方案，其製造基礎(chǔ)是位於紐約州馬爾他市Fab 8 工廠內(nèi)的成熟且經(jīng)生產(chǎn)驗(yàn)證的 14奈米FinFET (14LPP) 平臺。 一流的高性能56Gbps架構(gòu)可提供先進(jìn)的抖動(dòng)性能和均衡支援，可在多種高速介面標(biāo)準(zhǔn)下強(qiáng)化系統(tǒng)性能，並可為當(dāng)前及未來的頂尖網(wǎng)路、運(yùn)算和儲存應(yīng)用構(gòu)建高速連接和低功耗的解決方案。

「這一里程碑彰顯出我們能夠設(shè)計(jì)出最佳化的 ASIC 解決方案，並以極具競爭力的功率和晶片面積為最為嚴(yán)苛的網(wǎng)路和資料中心應(yīng)用提供56Gbps性能?！垢窳_方德全球銷售和業(yè)務(wù)開發(fā)部高級副總裁Mike Cadigan表示:「憑藉成功且歷經(jīng)考驗(yàn)的SerDes開發(fā)和ASIC技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，並與格羅方德的 14LPP技術(shù)完美結(jié)合，我們將助力客戶通過集成且高性能的內(nèi)核將新應(yīng)用經(jīng)濟(jì)高效地推向市場。」

「網(wǎng)路頻寬的爆發(fā)式提升，持續(xù)推動(dòng)著具有領(lǐng)先的介面速度和密度的ASIC解決方案的需求，」林利集團(tuán) (Linley Group) 首席分析師 Bob Wheeler指出：「格羅方德可提供尖端 SerDes 內(nèi)核，實(shí)現(xiàn)一流 ASIC 解決方案的快速上市，同時(shí)提高下一代網(wǎng)路設(shè)備的頻寬容量、可擴(kuò)充性和能效?！?

憑藉眾多優(yōu)勢，諸如具有超高性能56Gbps SerDes、PCI Express和多個(gè) 30Gbps SerDes 設(shè)計(jì)，亦支援多種外置記憶體介面，格羅方德 FX-14 設(shè)計(jì)系統(tǒng)進(jìn)一步鞏固了公司在HSS 方面的地位。格羅方德的嵌入式記憶體解決方案包括行業(yè)最快和功耗最低的嵌入式TCAM，與前代產(chǎn)品相比，其性能提高60%，漏電率降低80%，而SRAM 的密度和性能也有所優(yōu)化。

目前，客戶正在設(shè)計(jì)基於14LPP製程技術(shù)的高級ASIC解決方案，該方案使用 56Gbps和其他FX-14 SerDes內(nèi)核。56Gbps SerDes技術(shù)目前正在客戶管道中展示，而開發(fā)板將於2017年第一季度初投放市場。針對下一代資料通信網(wǎng)路，格羅方德正在開發(fā)易於遷移的先進(jìn)電氣解決方案和光學(xué)替代解決方案，以便讓多種技術(shù)實(shí)現(xiàn)112Gbps及以上的通信能力。（編輯部陳復(fù)霞整理）