藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率，將會(huì)影響電動(dòng)車(chē)（EV）的電力系統(tǒng)及制造流程中的熱性能、系統(tǒng)重量、尺寸和成本。本文說(shuō)明如何在EV牽引逆變器中驅(qū)動(dòng)碳化矽（SiC）MOSFET，透過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率，同時(shí)增加功率和電流密度。

隨著電動(dòng)車(chē)（EV）制造商之間為了開(kāi)發(fā)成本更低、續(xù)航里程更長(zhǎng)的車(chē)型所進(jìn)行的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，電力系統(tǒng)工程師必須設(shè)法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率，來(lái)提升續(xù)航里程并增加競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。效率與較低的功率損耗有關(guān)，而這會(huì)影響熱性能、系統(tǒng)重量、尺寸和成本。降低功率損耗的需求將隨著開(kāi)發(fā)功率更高的逆變器而持續(xù)存在，尤其是在這每輛汽車(chē)的馬達(dá)數(shù)量增加以及卡車(chē)轉(zhuǎn)向純電動(dòng)車(chē)發(fā)展的現(xiàn)況下。

牽引逆變器長(zhǎng)久以來(lái)使用絕緣柵雙極電晶體（IGBT）。不過(guò)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步，碳化矽（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)電晶體（MOSFET）不僅能夠提供比IGBT更高頻率的開(kāi)關(guān)能力，還能透過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率，同時(shí)增加功率和電流密度。
...
...