數(shù)據(jù)的數(shù)量、速度?種類與價值,持續(xù)在大數(shù)據(jù) (Big Data)、快數(shù)據(jù) (Fast Data) 與個人數(shù)據(jù)之中倍數(shù)成長并持續(xù)演化,而全球各地為數(shù)眾多的消費(fèi)者,都將透過智慧型手機(jī)體驗(yàn)這一波數(shù)據(jù)匯流風(fēng)潮。面對這樣的需求,Western Digital也推出iNAND嵌入式快閃記憶體 (EFD) 產(chǎn)品系列,讓智慧型手機(jī)使用者能夠享受現(xiàn)今由數(shù)據(jù)驅(qū)動的各種應(yīng)用與體驗(yàn)。
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WD嵌入式與整合解決方案行動和運(yùn)算產(chǎn)品線市場管理總監(jiān)包繼紅 |
新推出的iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式快閃記憶體,采用Western Digital 64層3D NAND技術(shù)以及UFS與e.MMC介面技術(shù),提供數(shù)據(jù)效能與儲存容量。用於智慧型手機(jī)與輕薄運(yùn)算裝置時,這兩款產(chǎn)品能加速實(shí)現(xiàn)以數(shù)據(jù)為中心的各式應(yīng)用需求,包括擴(kuò)增實(shí)境 (AR)、高解析視訊的擷取、豐富的社群媒體體驗(yàn),以及近期崛起的人工智慧 (AI) 與物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 「邊際」(edge) 體驗(yàn)。
WD嵌入式與整合解決方案行動和運(yùn)算產(chǎn)品線市場管理總監(jiān)包繼紅指出,除了360度影片及多鏡頭相機(jī),行動應(yīng)用程式也開始采用人工智慧技術(shù)提供更隹的體驗(yàn),推動智慧型手機(jī)數(shù)據(jù)為中心的本質(zhì)至全新境界。WD的iNAND解決方案,為現(xiàn)今密集的行動應(yīng)用程式及體驗(yàn),打造出最合適的數(shù)據(jù)環(huán)境,并支援其蓬勃發(fā)展。結(jié)合Western Digital的X3 3D NAND技術(shù),以及具備應(yīng)用感知(application-aware)的SmartSLC技術(shù)的全面提升,得以提供用戶更智能化的iNAND裝置。
iNAND 8521為旗艦行動裝置設(shè)計 展現(xiàn)5G網(wǎng)路效能
iNAND 8521嵌入式快閃記憶體專為對數(shù)據(jù)應(yīng)用有強(qiáng)度需求的使用者設(shè)計,采用UFS 2.1介面以及Western Digital最新的第五代SmartSLC技術(shù),與前一代針對旗艦智慧型手機(jī)所推出的iNAND 7232嵌入式快閃記憶體相比,連續(xù)寫入速度最高為其兩倍,隨機(jī)寫入速度最高可達(dá)10倍。iNAND 8521嵌入式快閃記憶體的數(shù)據(jù)傳輸速度,讓行動用戶能夠利用最新Wi-Fi速度,并在電信服務(wù)供應(yīng)商提供5G網(wǎng)路時可以使用網(wǎng)路增強(qiáng)技術(shù)。
iNAND 7550專為主流智慧型手機(jī)所設(shè)計
iNAND 7550嵌入式快閃記憶體讓行動裝置制造商生產(chǎn)符合成本效益的智慧型手機(jī)與運(yùn)算裝置,提供充足的儲存空間,滿足消費(fèi)者持續(xù)增加的數(shù)據(jù)需求,并同時提供快速的應(yīng)用程式體驗(yàn)。其采用e.MMC 5.1規(guī)格,連續(xù)寫入效能最高260 MB/s,隨機(jī)讀寫效能則分別為20K IOPS和15K IOPS3,讓iNAND 7550得以增強(qiáng)開機(jī)與應(yīng)用程式開啟時間。