【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）推出碳化矽（SiC）射頻功率電晶體的氮化鎵（GaN）系列產(chǎn)品。憑藉英飛凌的氮化鎵技術(shù)，該款新產(chǎn)品可協(xié)助行動基地臺的製造商打造體積更小、功能更強(qiáng)大，且具彈性的發(fā)射器。相較於既有的射頻功率電晶體，新產(chǎn)品擁有高效率、更佳的功率密度與更大的頻寬，提升了建設(shè)基礎(chǔ)設(shè)備的經(jīng)濟(jì)效益，有效支援現(xiàn)今的蜂巢式網(wǎng)路。此外，由於具備更高的資料傳輸量，因此強(qiáng)化了使用者經(jīng)驗(yàn)，為 5G 技術(shù)的轉(zhuǎn)型鋪路。
 |
| 英飛凌新款氮化鎵裝置可協(xié)助行動基地臺的製造商打造體積更小、功能更強(qiáng)大，且具彈性的發(fā)射器。 |
英飛凌射頻功率電晶體產(chǎn)品線副總裁暨總經(jīng)理 Gerhard Wolf 表示：「新產(chǎn)品系列結(jié)合了創(chuàng)新與蜂巢式基礎(chǔ)架構(gòu)需求的應(yīng)用知識，為全球客戶提供新一代的射頻功率電晶體。它們不僅大幅提高作業(yè)效能，並減小行動基地臺發(fā)射器端的體積。此外，隨著轉(zhuǎn)換至寬能隙半導(dǎo)體技術(shù)，讓我們引領(lǐng)著蜂巢式基礎(chǔ)架構(gòu)的持續(xù)演進(jìn)?！?/p>
新射頻功率電晶體運(yùn)用氮化鎵技術(shù)的效能，比現(xiàn)今常見的 LDMOS 電晶體效率提升百分之十，功率密度更達(dá)五倍。這意味著，今日所使用基地臺發(fā)射器（操作頻率範(fàn)圍在 1.8 至 2.2 GHz 或 2.3 至 2.7 GHz）的功率放大器（PA）在同樣的功率需求下只需更小的體積。未來碳化矽基板氮化鎵（GaN on SiC）產(chǎn)品亦將支援頻率範(fàn)圍高達(dá) 6 GHz 的 5G 行動頻帶。這樣的發(fā)展藍(lán)圖確保英飛凌能立足於長久的專業(yè)知識和最先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)，穩(wěn)健發(fā)展其射頻電晶體技術(shù)。
卓越的設(shè)計(jì)彈性加上支援 4G 次世代技術(shù)，是 GaN 裝置帶給射頻電晶體應(yīng)用的另一項(xiàng)額外優(yōu)勢。新產(chǎn)品擁有 LDMOS 兩倍的射頻頻寬，因此一臺功率放大器就能支援多重操作頻率。同時，它們也提供發(fā)射器更大的瞬間頻寬，允許載體使用 4.5G 蜂巢式網(wǎng)路指定適用的資料聚合技術(shù)而提高傳輸量。工程樣品和參考設(shè)計(jì)已可提供予簽訂具體保密協(xié)議（NDA）之客戶。
