意法半導體（STMicroelectronics，ST）的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性及安全系數。 MDmeshTM K5產品是擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極（drain-to-source）崩潰電壓（breakdown voltage）的電晶體，并已獲亞洲及歐美主要客戶導入于其重要設計中。
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| MDmesh K5產品是擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極崩潰電壓的電晶體... |
新產品鎖定電腦伺服器及工業自動化市場。伺服器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩健性是讓伺服器最大幅度減少斷電停機時間的關鍵因素，焊接、工廠自動化等工業應用也需要更大的輸出功率。這些應用的輸出功率在75W至230W之間或更高，超接面MOSFET技術的出色動態開關性能使其成為工業應用的最佳選擇。
意法半導體的MDmesh K5功率MOSFET系列將此項技術提升至一個全新的水準，單位面積導通電組（Rds(on)） 和柵極電荷量（Qg）均創市場最低，并擁有業界最佳的FoM （品質因素） 。新產品是目前主流電源拓撲的理想選擇，包括標準準諧振（quasi-resonant）與主動式鉗位返馳轉換器以及LLC 半橋式轉換器，均要求寬輸入電壓、高能效（高達96%）以及輸出功率近200W的電源。
該系列先推出的兩款產品STW12N150K5及STW21N150K5其最大漏源電流分別達到7A和14A，柵極電荷量僅有47nC（STW12N150K5）／導通電阻僅0.9歐姆（STW21N150K5）。兩款產品均已量產，采TO-247封裝。
