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Lab4MEMS專案獲歐洲創(chuàng)新大獎(jiǎng)
專案小組開發(fā)出下一代MEMS 產(chǎn)品試生產(chǎn)線
Dressing udstyr   2016年12月09日 星期五 瀏覽人次: [9237]

歐洲電子元件與系統(tǒng)領(lǐng)先計(jì)畫(Electronic Components and Systems for European Leadership,ECSEL)企業(yè)聯(lián)合會(huì)在義大利羅馬歐洲奈米電子論壇期間宣布,Lab4MEMS 專案榮獲該組織2016年度創(chuàng)新獎(jiǎng)。

Lab4MEMS即被認(rèn)定為下一代微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)產(chǎn)品關(guān)鍵核心技術(shù)試生產(chǎn)線專案,獲歐洲創(chuàng)新大獎(jiǎng)。
Lab4MEMS即被認(rèn)定為下一代微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)產(chǎn)品關(guān)鍵核心技術(shù)試生產(chǎn)線專案,獲歐洲創(chuàng)新大獎(jiǎng)。

在2014年1月專案成立之初,Lab4MEMS即被認(rèn)定為下一代微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)產(chǎn)品關(guān)鍵核心技術(shù)試生產(chǎn)線專案。新一代MEMS采用先進(jìn)技術(shù)提升產(chǎn)品性能,例如,采用壓電或磁材料和3D封裝技術(shù)強(qiáng)化下一代智慧感測(cè)器、致動(dòng)器、微泵和能源回收裝置的性能。在資料存儲(chǔ)、印刷、醫(yī)療保健、汽車、工控和智慧樓宇,以及智慧手機(jī)和導(dǎo)航裝置等消費(fèi)性電子應(yīng)用領(lǐng)域,這些技術(shù)對(duì)提升產(chǎn)品性能有重要之貢獻(xiàn)。

Lab4MEMS專案協(xié)調(diào)暨意法半導(dǎo)體歐洲研發(fā)與公共事務(wù)專案經(jīng)理Roberto Zafalon登臺(tái)領(lǐng)獎(jiǎng)并發(fā)表獲獎(jiǎng)感言。他表示,「ECSEL創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)蔑@Lab4MEMS專案小組透過專案執(zhí)行取得的優(yōu)異成果和成功產(chǎn)生巨大影響力。特別值得一提的是,Lab4MEMS利用壓電和磁材料以及先進(jìn)3D封裝技術(shù)開發(fā)出創(chuàng)新的MEMS解決方案。」

Lab4MEMS是一個(gè)2,800萬歐元且為期36個(gè)月的大型專案,作為專案負(fù)責(zé)人,意法半導(dǎo)體負(fù)責(zé)專案協(xié)調(diào)管理工作,專案小組共有20個(gè)成員,包括來自十個(gè)歐洲國(guó)家的大學(xué)、研究所和科技企業(yè)。意法半導(dǎo)體在義大利和馬爾他的MEMS工廠為下一代產(chǎn)品貢獻(xiàn)了從設(shè)計(jì)制造到封裝測(cè)試的全套制造能力。

這些成果有助于Lab4MEMS專案開發(fā),同時(shí)還可以回報(bào)投資人。專案參與者包括以下高等院校、科學(xué)研究機(jī)構(gòu)和工商企業(yè):Politecnico di Torino(義大利);Fondazione Istituto Italiano di Tecnologia (義大利);Politecnico di Milano(義大利);Consorzio Nazionale Interuniversitario per la Nanoelettronica(義大利);Commissariat a l'Energie Atomique et aux energies alternatives (法國(guó));SERMA Technologies SA (法國(guó));意法半導(dǎo)體有限公司(馬爾他);Universita ta Malta (馬爾他);Solmates BV(荷蘭);Cavendish Kinetics BV (荷蘭);Okmetic OYJ (芬蘭);VTT(芬蘭);Picosun OY (芬蘭);KLA-Tencor ICOS(比利時(shí));Universitatea Politehnica din Bucuresti (羅馬尼亞);Instytut Technologii Elektronowej(波蘭); Stiftelsen SINTEF(挪威) ;Sonitor Technologies AS (挪威);BESI GmbH (奧地利)。 (編輯部陳復(fù)霞整理)

Lab4MEMS產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用改善重點(diǎn)

?采用壓電薄膜(Piezoelectric Thin-Films,PZT)技術(shù)在使用矽的MEMS上整合微致動(dòng)器、微泵、感測(cè)器和能源回收器,適用于資料存儲(chǔ)、印刷、醫(yī)療保健、汽車、能源回收和自動(dòng)對(duì)焦鏡頭。

?磁強(qiáng)感測(cè)器,用于消費(fèi)性電子產(chǎn)品,例如:GPS定位、室內(nèi)導(dǎo)航和手機(jī)。

?先進(jìn)封裝技術(shù)和垂直互聯(lián)方法,包括透過倒裝晶片、矽穿孔(Through Silicon Via,TSV)或樹酯晶圓穿孔(Through Mold Via,TMV)的全3D整合,適用于消費(fèi)性電子和醫(yī)療保健設(shè)備,例如,人體姿態(tài)及生理數(shù)據(jù)反饋感測(cè)器和遠(yuǎn)端監(jiān)視。

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